Размер:
A A A
Цвет: C C C
Изображения Вкл. Выкл.
Обычная версия сайта
Логин
Пароль
EN

Федеральный исследовательский центр 
«Красноярский научный центр
Сибирского отделения Российской академии наук»

 Федеральный исследовательский центр «Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук»

Федеральный исследовательский центр 
«Красноярский научный центр
Сибирского отделения Российской академии наук»

Тонкие пленки ковалентного кристалла показали интересные свойства

17 февраля 2023 г. Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Тонкие пленки ковалентного кристалла показали интересные свойства
Российские физики расщепили ковалентный кристалл из сульфида индия и галлия, перспективный для использования в электронике, и изучили оптические характеристики полученных тонких пленок. Этот кристалл имеет только ковалентные связи, но при этом продемонстрировал все свойства, присущие двумерным и слоистым материалам. Он найдет применение в области диэлектрической нанофотоники, например, наномедицины, для создания тонких линз с переменным фокусным расстоянием или даже объемных голограмм. Работа опубликована в журнале «npj 2d Materials and Applications».

Развитие цифровой экономики, роботизации, квантовой криптографии требует от электроники увеличения скорости, энергоэффективности, безопасности передачи данных. Сейчас во всем мире идет «гонка» за материалами для электроники с улучшенными или уникальными физико-химическими характеристиками. Одной из быстроразвивающихся тематик современного материаловедения стали двумерные пленки и материалы на их основе. 

Ученые активно исследуют слоистые материалы со слабыми межплоскостными ван-дер-ваальсовыми связями для получения двумерных материалов с уникальными свойствами. Связь Ван-дер-Ваальса имеет не химическую, а электростатическую природу и возникает между молекулами и атомами. Это слабая связь, и в результате такие пленки сложно масштабировать и применять на практике именно из-за непрочности соединения отдельных слоев материала.

Группа российских ученых, куда вошли исследователи ФИЦ «Красноярский научный центр СО РАН», решила попробовать создать пленки, слои которых будут удерживаться вместе сильными химическими связями — ковалентными. Ковалентная связь возникает, когда ядра атомов сближаются и у них возникает общая электронная пара. Такие связи, в частности, формируют структуру некоторых кристаллов. Исследователям удалось найти кристалл, одноатомные пленки которого продолжают удерживаться вместе ковалентными связями даже после расслаивания.

«На сегодняшний день двумерные и слоистые материалы стали основной платформой для разработки оптических устройств следующего поколения благодаря их гигантскому показателю преломления, анизотропии и экситонным свойствам. Однако эти материалы сложно масштабировать и делать технологические процессы из-за их ван-дер-ваальсовых связей, в отличие от традиционных кристаллов, таких как кремний и оксид титана, где все связи ковалентные. В нашей же работе удалось найти материал InGaS3, который имеет только ковалентные связи, но при этом демонстрирует все свойства, присущие двумерным и слоистым материалам», — сообщил Георгий Ермолаев, научный сотрудник лаборатории нанооптики и плазмоники Центра фотоники и двумерных материалов МФТИ.

Ученые провели экспериментальные и теоретические испытания нового материала и описали структурные, колебательные, электронные и оптические свойства полученных образцов. 

«В данной работе при помощи компьютерного моделирования из первых принципов мы предсказали возможность существования и получения двумерного слоя из ранее неизвестного ковалентного кристалла InGaS3 путем разрыва химических связей вдоль определенного направления. Далее на основе теоретических предсказаний была проведена огромная экспериментальная работа с применением метода микромеханического отщепления по получению двумерных слоев состава InGaS3 и последующее изучение оптических и электронных свойств материала», — добавил соавтор работы Дмитрий Квашнин, старший научный сотрудник ИБХФ РАН, доцент МФТИ.

Оказалось, что кристалл InGaS3 обладает высоким коэффициентом преломления (n>2,5) при отсутствии поглощения в видимом и ИК-диапазонах. Это делает его отличным кандидатом для применения в области полностью диэлектрической нанофотоники. Новый материал может применяться в оптике нового поколения для производства сложного медицинского оборудования, интегральных схем, фотонных вычислительных устройств, а также приборов для проекции объемных голограмм.

Александр Орешонков

«В постграфеновую эпоху появилось множество неорганических аналогов графена, таких как гексагональный нитрид бора, дихалькогениды переходных металлов и других. Все эти материалы объединяет то, что они могут быть получены из слоистых объемных кристаллов. Совершенно новым и неожиданным направлением стало получение двумерных структур из ковалентных кристаллов, которые в своей структуре не имеют выделенных слоев. В нашей работе удалось расщепить ковалентный кристалл InGaS3 вплоть до единичных слоёв. Полученные образцы показали себя перспективными для применения в нанофотонике за счет высокого коэффициента преломления при отсутствии поглощения в видимом и ИК-диапазонах. Важным аспектом при изучении подобных структур является их характеризация c помощью неразрушающих методов, например, таких, как спектроскопия комбинационного рассеяния света. В данном случае, незаменимыми становятся теоретические подходы для описания полученных спектров», — рассказал соавтор работы Александр Орешонков, кандидат физико-математических наук, научный сотрудник лаборатории молекулярной спектроскопии Института физики имени Л.В. Киренского КНЦ СО РАН.

Исследование выполнено в рамках программы мегагрантов Правительства РФ (№ 075-15-2021-606). Программа является частью нацпроекта «Наука и университеты», реализуемого Минобрнауки России. 

Пленки



Поделиться:



Наверх