- Главная
- /
- Публикации
- Новости
- Мероприятия
- О нас
- Руководство
-
Научно-инновационная деятельность
- Направления научной деятельности
- Ученый совет
- Инновационная деятельность
- Совет научной молодежи
- Лаборатории и научные отделы
- Центр коллективного пользования
- Международный научный центр исследований экстремальных состояний организма (МНЦИЭСО)
- Уникальные научные установки
- Отдел сопровождения инновационной деятельности
- Центральная научная библиотека
- Центр трансфера технологий
- Научные стационары
- Научные музеи
- Диссертационные советы
- Сибирский лесной журнал
- Труды конференций ФИЦ КНЦ СО РАН
- Научные публикации
- Наука и университеты
- Документы
- Подразделения
- Диссертационные советы
- Институты и организации
- Учебно-образовательная деятельность
- Профсоюзная организация
- Противодействие коррупции
- Безопасность труда
- Полезные ссылки
- Партнеры
- Раскрытие информации
- Патентная и изобретательская работа
- Контакты
- Телефонный справочник
- Энциклопедия
- Платные услуги
- Академгородок
- Антитеррор
- ЭДО
Мало
Microstrip filters based on 2D electromagnetic crystal
Averkiev NS; Poniaev SA; Sokolovskii GS Source: INTERNATIONAL CONFERENCE PHYSICA.SPB/2016, 929 10.1088/1742-6596/929/1/012026 2017
Construction of microstrip bandpass filters is suggested on the basis of 2D electromagnetic crystal consisting of P horizontal and K vertical rows of resonators. Adjacent vertical rows of resonators are connected by additional m K-1 resonators arranged above and below the outside 2D crystal. Parametric synthesis of six bandpass filters based on crystals with the dimension of 1×2, 2×2, 2×3, 3×1, 3×2 and 3×3 was conducted with use of electrodynamic numerical analysis of 3D models in studied constructions. While calculating substrates with relative permittivity ε=80, h=1 mm thick were used, in this connection, center frequency of bandwidth was registered as follows - f 0≈1.0 GHz, as well as their relative bandwidth Δf/f 0≈20%. High frequency-selective properties of the filters are connected not only with the increase of their N order, but also with the presence of amplitude-frequency characteristics of power attenuation poles located near the bandwidth.